118
11H水素2
13141516172Heヘリウム
23Liリチウム4Beベリリウム5Bホウ素6C炭素7N窒素8O酸素9Fフッ素10Neネオン
311Naナトリウム12Mgマグネシウム345678910111213Alアルミニウム14Siケイ素15Pリン16S硫黄17Cl塩素18Arアルゴン
419Kカリウム20Caカルシウム21Scスカンジウム22Tiチタン23Vバナジウム24Crクロム25Mnマンガン26Fe鉄27Coコバルト28Niニッケル29Cu銅30Zn亜鉛31Gaガリウム32Geゲルマニウム33Asヒ素34Seセレン35Br臭素36Krクリプトン
537Rbルビジウム38Srストロンチウム39Yイットリウム40Zrジルコニウム41Nbニオブ42Moモリブデン43Tcテクネチウム44Ruルテニウム45Rhロジウム46Pdパラジウム47Ag銀48Cdカドミウム49Inインジウム50Snスズ51Sbアンチモン52Teテルル53Iヨウ素54Xeキセノン
655Csセシウム56Baバリウム57-71
La-Lu
72Hfハフニウム73Taタンタル74Wタングステン75Reレニウム76Osオスミウム77Irイリジウム78Pt白金79Au金80Hg水銀81Tlタリウム82Pb鉛83Biビスマス84Poポロニウム85Atアスタチン86Rnラドン
787Frフランシウム88Raラジウム89-103
Ac-Lr
104Rfラザホージウム105Dbドブニウム106Sgシーボーギウム107Bhボーリウム108Hsハッシウム109Mtマイトネリウム110Dsダームスタチウム111Rgレントゲニウム112Cnコペルニシウム113Nhニホニウム114Flフレロビウム115Mcモスコビウム116Lvリバモリウム117Tsテネシン118Ogオガネソン
8119Uueウンウンエンニウム120Ubnウンビニリウム121-126
Ubu-Ubh
57Laランタン58Ceセリウム59Prプラセオジム60Ndネオジム61Pmプロメチウム62Smサマリウム63Euユウロピウム64Gdガドリニウム65Tbテルビウム66Dyジスプロシウム67Hoホルミウム68Erエルビウム69Tmツリウム70Ybイッテルビウム71Luルテチウム
89Acアクチニウム90Thトリウム91Paプロトアクチニウム92Uウラン93Npネプツニウム94Puプルトニウム95Amアメリシウム96Cmキュリウム97Bkバークリウム98Cfカリホルニウム99Esアインスタイニウム100Fmフェルミウム101Mdメンデレビウム102Noノーベリウム103Lrローレンシウム
121Ubuウンビウニウム122Ubbウンビビウム123Ubtウンビトリウム124Ubqウンビクアジウム125Ubpウンビペンシウム126Ubhウンビヘキシウム127Ubsウンビセプチウム

電子構成

電子配置は、化学元素または分子の原子のさまざまな電子殻内の電子の位置を表す式です。 電子配置は通常、基底状態の原子に対して書かれます。

要素の電子構成を決定するために、次のルールが存在します。 1.充填の原理。 充填原理によれば、原子の基底状態の電子は、軌道エネルギーレベルが増加する順序で軌道を埋めます。 2.パウリの抑制原則。 この原理によれば、軌道上に存在できる電子は2つまでです。 3.ハンドルール。 この規則によれば、1つのサブシェルの軌道の充填は単一の電子で始まり、単一の電子がすべての軌道を占有した後にのみ、電子対による軌道の最終的な充填が行われます。